Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM120N06LCR RLG
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM120N06LCR RLG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventario:
12900028
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TSM120N06LCR RLG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2116 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PDFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
TSM120
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
TSM120N06LCR RLGTR
TSM120N06LCRRLGTR
TSM120N06LCR RLGDKR-DG
TSM120N06LCR RLGTR-DG
TSM120N06LCR RLGCT
TSM120N06LCRRLGCT
TSM120N06LCRRLGDKR
TSM120N06LCR RLGCT-DG
TSM120N06LCR RLGDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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